越来越普及，手机内部各个功效块也越来越庞大，由于整体性能要不停提升，芯片元器件数目也在增添，与此同时，对小体积、高集成度又有越来越高的要求。这一点在射频前端体现得尤为凸出。
通常情形下，智能手机的射频前端主要包罗功率放大器（PA）、滤波器（Filter）、射频开关（switch）、低噪声放大器（LNA）等。其中，滤波器的价值量占对照高，到达53％，其次是功率放大器（33％）、射频开关（7％）。
就价值量和设计难度而言，射频开关要逊色于滤波器和功率放大器，但前者在射频前端中的使用数目却很大，更主要的是，中国厂商在射频开关领域已经实现了较高的市占率，与滤波器和功率放大器相比，有更多的话语权。
射频开关的价值
射频开关又称微波开关，主要用于控制微波信号通道转换，普遍应用于智能手机等移动终端。按用途划分，射频开关可分为移动通讯传导开关、Wi－Fi开关、天线开关等；按刀数和掷数划分，又可分为单刀单掷、单刀双掷、单刀多掷和多刀多掷开关。
射频开关由传导开关（Switch）和天线调谐开关（Tuner）两部门组成，Tuner的手艺难度高于Switch，由于Tuner有极高的耐压要求，导通电阻和关断电容对性能影响极大，对产物提出了更高的设计和工艺要求。
受到模块化趋势影响，现在，过半Switch集成在模组之中。而分立式的Switch则主要应用在中低端手机中。
在智能手机中，射频开关处于射频前端的要害位置且必不能少，其插损、回损、隔离度、谐波抑制和功率容量等性能对射频前端链路有主要影响。射频开关的主要作用在于通过控制逻辑，实现对差异偏向（吸收或发射）、差异频率的信号举行切换，以到达共用天线、节约终端产物成本的目的。
一样平常情形下，智能手机每多支持一个频段，其射频芯片就要增添一条吸收通道，为了削减芯片面积，降低成本，一个吸收通道往往会支持多个频段，这就需要在射频前端增添开关数目，以知足对差异频段信号吸收、发射的需求。
5G手机所支持的频段在4G LTE 66个的基础上增添了50个，由于5G要所有向下兼容，全球2G／3G／4G／5G网络合计支持的频段数目跨越110个，因此，相对于4G手机，5G的射频开关数目将在10个基础上再提升50％，到达15个，而且，随着手艺和应用需求的生长，未来这一数字还会进一步增添。
另外，随着封装尺寸的减小，射频前端出现出模组化的趋势，未来，射频开关性能和单机价值量有望进一步提升。
制程工艺
制造工艺层面，射频开关主要分为两种类型：机电式和固态射频开关。固态开关使用半导体手艺制造，例如硅或PIN二极管、场效应晶体管 （FET） 和夹杂手艺（即PIN二极管和场效应晶体管的连系），并使用硅基基板构建。
射频开关制造工艺手艺主要有CMOS、GaAs、RF SOI、RF MEMS，其中，RF SOI是主流手艺，CMOS手艺占有少量份额，GaAs已经面临镌汰。随着射频开关产物设计的不停创新，RF MEMS手艺更能知足未来射频系统多模多频通讯的需要，正成为业界结构的重点。
RF SOI是一种具有怪异的硅／绝缘层／硅三层结构的硅基半导体工艺质料，它通过绝缘埋层（通常为SiO2）实现了器件和衬底的全介质隔离，在器件性能上具有诸多优点，主要包罗：减小了寄生电容，提高了运行速率，与体硅质料相比，SOI的运行速率提高了20％－35％；具有更低的功耗，由于减小了寄生电容，降低了泄电，SOI器件功耗可减小35％－70％；消除了闩锁效应；抑制了衬底的脉冲电流滋扰，削减了错误的发生；与现有CMOS硅工艺兼容，可削减13％－20％的工序。
随着RF SOI工艺的不停改善，这种射频开关的性能也在稳步提升。
RF SOI工艺可以知足当下的频段及性能要求，但也遇到了一些新的挑战。射频开关自己包罗场效应晶体管（FET），FET会受到不需要的沟道电阻和电容的影响，通常情形下，射频开关中堆叠了10到14个FET，随着FET数目的增添，器件可能会遇到插入消耗和电阻带来的一系列问题。
另外，寄生电容也是一个问题，Skyworks（思佳讯）公司以为，在射频开关中，30％或更多的寄生电容来自于器件中的互连，互连包罗金属层或bonding线，这些也是RF SOI工艺存在的问题。现在，射频开关的主流制造工艺是基于8英寸晶圆的180nm和130nm制程。许多互连层基于铝材质，铝价钱廉价，但具有较高的寄生电容，因此，铜被用于射频开关中一些特定层，铜是更好的导体，而且电阻小于铝。
近些年，RF SOI晶圆代工厂已经从8英寸晶圆迁徙到12英寸，制程节点也从130nm迁徙到45nm。通常情形下，12英寸晶圆厂只使用铜互连，这样，射频开关制造商可以降低电容。不外，12英寸晶圆提高了制造成本，这就形成了一对矛盾关系，即成本敏感的手机OEM厂商需要射频开关保持较低的价钱，但射频开关制造商和晶圆代工厂希望保持利润。
与RF SOI相比，RF MEMS的一些优异特征就凸显了出来，这为射频开关拓宽了生长蹊径。
RF MEMS开关种类繁多，它们可以用差其余机制来驱动。由于具备功耗低、尺寸小的特征，静电驱动常用于射频MEMS开关设计。MEMS开关也可使用惯性力、电磁力、电热力或压电力来控制打开或关闭。
RF MEMS能够提供异常低的Ron（导通电阻），这也意味着更低的insertion loss（插入消耗）。但RF MEMS还没有实现大规模量产，由于思量到风险，主流OEM厂商很难选择新手艺和小供应商，除非与RF SOI相比，RF MEMS开关能提供极具吸引力的价钱，且其可靠性和供货稳固性有足够保障。
中国本土厂商崛起
2020年，全球射频开关市场规模为20多亿美金，中国市场至少占到50％。除了传统分立式射频开关，射频前端模块化的生长趋势，使得越来越多的开关被集成进模组，稀奇是手机PA模组，往后，PA模组里集成的开关会越来越多。这是国际大厂生长的偏向，中国本土厂商也在快速跟进。
现在，国际着名的射频开关供应商主要包罗：Skyworks、Broadcom（博通）、Murata（村田）、卓胜微、韦尔股份等。
由于手艺难度相对较低、射频开关国产化率较高，卓胜微已经占有了全球射频开关（包罗Switch和Tuner，分立式及模组中的开关）约15％市场份额，紫光展锐、昂瑞微、艾为、飞骧科技、唯捷创芯、韦尔股份、迦美信芯等厂商也具备开关生产能力，整体国产化率约为20％。但把开关作为主要产物的公司较少，如卓胜微、迦美信芯、韦尔股份（开关／LNA是公司射频产物线的主要产物）、艾为电子（开关／LNA是公司射频产物线的主要产物），其它厂商大多把开关作为副线产物。
之以是云云，卓胜微的壮大是一个主要缘故原由。其射频开关毛利率跨越50％，年销售额跨越50亿元人民币，是绝对的产业龙头。
在市场需求的推动下，中国本土射频开关厂商数目不停增进，现在已跨越15家。不外，除了卓胜微，分立式开关年销售额跨越1亿元的公司还未泛起。以小米为代表的OEM厂商，为它们供货的中国本土射频开关企业中，除了卓胜微，其它家拿到的份额都很小，现在来看，大客户把卓胜微作为第一供应商的战略不会变，剩余的部门由10多家公司朋分。
卓胜微的射频开关业绩是在2017年最先快速增进的，在2015年之前，RDA、飞骧科技、唯捷创芯都已经出货射频开关产物，直到今天，这些公司的射频开关产物还在市场上推广，但分立式射频开关营业增进乏力。
综上，在射频开关领域，中国企业市占率较高。在这样的基础上，本土企业应该再接再厉，对射频前端中具有更高手艺含量和利润的芯片和模组加大投入力度，以期实现更高水平的生长。
原文题目 : 这一战场，中国本土射频芯片争先